半导体氧气纯化装置微电子氮气净化设备全自动纯化系统随着国内对高纯气体纯度指标的要求不断提高，很多高纯，超高纯以及标准气体厂都配置了气相色谱仪一类的气体纯度分析仪器。在实际测量中，为了保证分析数据的准确性，载气的纯度必须高于被分析气体的纯度一个数量级左右。所以如果要对纯度为5个9的气体质量进行检测就应该使用纯度为6个9以上的载气。

半导体氧气纯化装置微电子氮气净化设备全自动纯化系统 取得6个9的载气有两钟方法，一是直接购买纯度为6个9的瓶装高纯气体，二是使用气体纯化器将4-5个9的气体纯度提高到6个9以上。

半导体氧气纯化装置微电子氮气净化设备全自动纯化系统氮气纯化方法：

    装置工作设有两组工作组，填装的净化材料属于可再生重复利用材料。原料液氮经汽化器汽化后由设备工作进口进入设备一组工作组，经脱氧剂、分子筛及精密高效过滤器（0.1μm）后送出至工作点使用。

一组工作组负荷饱和后，切换到另一组工作组工作，保证为使用点连续的提供高纯氩气。同时一组工作组开始再生加热加氢反吹洗（本系统加氢是为了还原脱氧剂，加氢结束后设备自动吹洗并直接放空），为等待下一次切换使用做好准备。

   装置工作为常温工作，压降小、脱氧程度深、碳水含量低，均可达到并高于GB高纯氮气标准。

半导体氧气纯化装置微电子氮气净化设备全自动纯化系统气纯化装置的技术指标：

  1、处理气量              ＞20m3/h

  2、原料氩气纯度          液氮纯度＞99.99%

  3、工作压力              0.4-0.6MPa可调

  4、纯化后纯度符合并高于GB/T8979-2008高纯氮99.9999%指标

                  1、处理气量：≥30Nm3/h

                  2、氮气纯度：含氧量≤0.5PPm  H2＜0.5ppm

                               露 点≤-70℃    CO2＜1ppm

                  3、工作压力：≤0.8Mpa

                  4、电    源：380V   50HZ

                  5、除氧器工作温度：常温

                  6、干燥器工作温度：常温

                  7、干燥器再生温度：350℃

                     除氧器再生温度：350℃

                  8、装机功率：5KW

                  9，外形尺寸 1000×1100×1850mm

                  10、重量,800kg

四，装置组成

  1、吸附干燥器                          2台

  2、脱氧塔                              2台

  3、精密镍管过滤器                      1台

  5、配套仪器仪表及应用低压电器          1套

  6、气动阀门、电磁阀，管路              1套

  7、机箱                                1

  11，再生冷却器                          1套

半导体氧气纯化装置微电子氮气净化设备全自动纯化系统以工业普氧为原料气，经催化冷却，二级吸附，精密过滤的方法除去氧中微量杂质氢，甲烷，一氧化碳，二氧化碳，水汽和尘埃获得高纯度的氧气。

    本产品结构简单，系统气密性良好，所用催化剂（可视原料气的杂质含量来调整工作温度）可长期使用无需再生，二级双塔并联结构的干燥器延长了干燥器再生时间，再生设定周期168小时，节能高效，*大限度的保证了纯气的品质，高效吸附剂可在产品内再生后重复使用。适用于需要大量高纯氧气半导体、光纤、显像管等主要生产部门。

半导体氧气纯化装置微电子氮气净化设备全自动纯化系统技术指标

原料气：液氧

处理气量     10Nm3/h

工作压力     0.4-0.8Mpa

原料氧的纯度：＞ 99.7%

纯化后：     CH4＜0.3ppm     CO2＜0.5ppm   

    H2O＜1.5ppm     尘埃 颗粒≤3.0粒/升（100级）

   装机功率：   380V     5KW